TUS取得突破：利用溅射技术推动高性能ScAlN基晶体管的应用

是一种场效应晶体管(FET)，其设计旨在实现极高频率和低噪声工作。因此，它们广泛应用于高功率和高频应用，例如高速无线通信、功率开关器件和功率放大器。

HEMT采用异质结，即两种不同半导体材料)之间的连接。该连接形成一个称为二维电子气(2DEG)的狭窄区域，其中电子具有极高的迁移率，从而带来卓越的高频性能。

氮化铝钪作为一种新型势垒材料，能够进一步提升GaN HEMT的性能，备受关注。它表现出较大的极化，从而提高了2DEG中的电子密度。此外，其铁电特性使其适合用作铁电HEMT中的铁电栅极材料。

这种栅极能够对2DEG进行动态控制，从而有可能丰富GaN基器件的功能。在GaN上生长ScAlN层的传统方法需要复杂的工艺和较高的加工温度。